西安电子科技大学团队突破芯片散热难题，打破20年技术僵局

西安电子科技大学团队打破技术僵局，攻克芯片散热世界难题，取得重要突破。

在芯片制造中，不同材料层间的“岛状”连接结构长期阻碍热量传递，成为器件性能提升的关键瓶颈。

近日，西安电子科技大学郝跃院士、张进成教授团队通过创新技术，成功将粗糙的“岛状”界面转变为原子级平整的“薄膜”，使芯片散热效率和器件性能获得突破性提升。这项为半导体材料高质量集成提供“中国范式”的突破性成果，已发表在《自然·通讯》与《科学进展》上。

郝跃院士（左四）指导师生实验。图片